IGBT транзистор: GT45F122 (45F122) 300В TO-220SIS
Артикул:
GT45F122
IGBT транзистор GT45F122 (45F122)
Подробнее
370 руб./шт
Есть в наличии (71)
Нашли дешевле?
-
+
В корзину
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
Описание
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ-англ.IGBT) GT45F122 IGBT
Напряжение пробоя Uces=300V при t=25С
Ic=200A при t=25C
Тип корпуса: TO-220F
http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190249.pdf
Напряжение пробоя Uces=300V при t=25С
Ic=200A при t=25C
Тип корпуса: TO-220F
http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190249.pdf
Характеристики
|
Реквизиты
|
iGBT, Товар, 00-00000235, 0.003 |
|
Базовая единица
|
шт |
|
В наличии
|
Да |
|
Оригинал
|
Нет |
|
Структура
|
IGBT |
|
Производитель
|
Toshiba |
|
Маркировка транзистора
|
242651 |
|
P/N
|
GT45F122 |
|
Тип корпуса
|
TO-220SIS |
|
Тип корпуса
|
TO-220SIS |
|
Ток Iк макс транзистора (А)
|
200 |
|
Напряжение Uкэо макс транзистора (В)
|
300 |
|
Состояние
|
Новый |
|
Структура
|
N-канал+диод |
|
Uces, В
|
300 |
|
Корпус
|
TO-220SIS |
|
Part Namber
|
GT45F122 |
|
Маркировка на корпусе
|
45F122 |
|
Uce(sat), В
|
2.7 |
Отзывы
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Задать вопрос
Задать вопрос
Наличие
