iGBT

Из википедии:

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Каскадное включение транзисторов двух типов позволяет сочетать их достоинства в одном приборе: выходные характеристики биполярного (большое допустимое рабочее напряжение и сопротивление открытого канала пропорционально току, а не квадрату тока, как у полевых) и входные характеристики полевого (минимальные затраты на управление). Управляющий электрод называется затвором, как у полевого транзистора, два других электрода — эмиттером и коллектором, как у биполярного.

Основные параметры IGBT транзисторов для подбора аналогов:

V_ces - максимальное напряжение коллектор-эмиттер

V_ce(sat) - напряжение насыщения коллектор-эмиттер

I_c максимальный постоянный ток коллектора ( при Т = 25°)

I_{cp  -}Максимальный импульсный ток коллектора

V_GE - Максимальное напряжение затвор-эмиттер

P_{TOT -} Максимальная общая рассеиваемая мощность